2018年09月02日
ITパスポート過去問 29年秋 問67
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問67 フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
ア 紫外線を利用してデータを消去し,書き換えることができるメモリである。
イ データ読出し速度が速いメモリで,CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。
ウ 電気的に書換え可能な,不揮発性のメモリである。
エ リフレッシュ動作が必要なメモリで,主記憶によく使われる。
フラッシュメモリとは、半導体素子を利用した記憶装置で、電気的に書き換え可能で、電源を切っても内容が保持される(不揮発性)。
磁気ディスクや、光学ディスクに比べ読み書き速度が速く、可動部がないため静かで衝撃にも強い。
しかし、劣化の進みが早く、書込み回数が多くなると破損することが知られている。
メモリカード、USBメモリなどに使われている
ア UV-EPROMの説明
イ SRAMの説明
ウ 正解
エ DRAMの説明
ウ
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問題
問67 フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
ア 紫外線を利用してデータを消去し,書き換えることができるメモリである。
イ データ読出し速度が速いメモリで,CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。
ウ 電気的に書換え可能な,不揮発性のメモリである。
エ リフレッシュ動作が必要なメモリで,主記憶によく使われる。
解説
フラッシュメモリとは、半導体素子を利用した記憶装置で、電気的に書き換え可能で、電源を切っても内容が保持される(不揮発性)。
磁気ディスクや、光学ディスクに比べ読み書き速度が速く、可動部がないため静かで衝撃にも強い。
しかし、劣化の進みが早く、書込み回数が多くなると破損することが知られている。
メモリカード、USBメモリなどに使われている
ア UV-EPROMの説明
イ SRAMの説明
ウ 正解
エ DRAMの説明
答
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