2009年05月28日
ドナー、アクセプタ
Si,Ge+5価の元素(砒素、アンチモン)⇒n型半導体
Si,Ge+3価の元素(ホウ素、インジウム)⇒p型半導体
ドナー:砒素(As)、アンチモン(Sb)
アクセプタ:ホウ素(B)、インジウム(In)
ブルーム
パウダーブラッシュ
2,500(税込)
ブルーム
リップグロス
2,100(税込)
Si,Ge+3価の元素(ホウ素、インジウム)⇒p型半導体
ドナー:砒素(As)、アンチモン(Sb)
アクセプタ:ホウ素(B)、インジウム(In)
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パウダーブラッシュ
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