2008年11月17日
半導体
半導体
Siの真性半導体+(ホウ素(B)orインジウム(In))(3価の元素)(不純物)
→P型半導体 このときの不純物アクセプタ
(Siの真性半導体orゲルマニウム(Ge)など)+(ヒ素(As)、アンチモン(Sb))(5価の元素)(不純物)
→n型半導体 このときの不純物 ドナー
導体、半導体、絶縁体
→この順に抵抗率が高い。
Siの真性半導体+(ホウ素(B)orインジウム(In))(3価の元素)(不純物)
→P型半導体 このときの不純物アクセプタ
(Siの真性半導体orゲルマニウム(Ge)など)+(ヒ素(As)、アンチモン(Sb))(5価の元素)(不純物)
→n型半導体 このときの不純物 ドナー
導体、半導体、絶縁体
→この順に抵抗率が高い。
電験第1種模範解答集(平成20年版) |
ポイントたまる楽天ブックス |
6,000円 |
電験第2種模範解答集(平成20年版) |
ポイントたまる楽天ブックス |
4,700円 |
電験第3種模範解答集(平成20年版) |
ポイントたまる楽天ブックス |
3,600円 |
【このカテゴリーの最新記事】
-
no image