Samsung SSD 250GB SDカードもしくはmicroSDカード付 850 EVO キャンペーンキット 2.5インチ内蔵型 3D V-NAND搭載 5年保証日本サムスン正規品 MZ-75E250B/CP: DE TODO UN POCO JAPON

2015年09月06日

Samsung SSD 250GB SDカードもしくはmicroSDカード付 850 EVO キャンペーンキット 2.5インチ内蔵型 3D V-NAND搭載 5年保証日本サムスン正規品 MZ-75E250B/CP

Samsung SSD 250GB SDカードもしくはmicroSDカード付 850 EVO キャンペーンキット 2.5インチ内蔵型 3D V-NAND搭載 5年保証日本サムスン正規品 MZ-75E250B/CPが

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メーカーより

3D V-NAND搭載 Samsung SSD 850 EVO
◆ 3D V-NAND × ターボライトテクノロジー革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

メモリセルの構造を立体化させた「3D V-NAND」と高速化機能「ターボライトテクノロジー」の搭載により、性能と耐久性を劇的に向上。5年保証を実現したメインストリームモデル。

◆ キーデバイスのすべてを内製し、パフォーマンスと信頼性を両立。

SSDのキーデバイスであるNANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMの全てに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から生産までを完結。

◆ 困った時には「サムスンSSDサポートセンター」がしっかりサポート。

日本国内での日本人によるコールセンターでの電話サポートに加え、修理センターでの修理対応など万全のサポート体制を完備。

微細化プロセス制限の壁を打ち破ったSamsung 3D V-NAND
従来の平面(2D)NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル(※1)間の干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われている。

加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、セルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決した。

◆ 3D V-NANDの特長

①【高速化】セル間隔が従来の2D NANDに比べ広くなったことで、セル間の電気的干渉がほとんど発生せず、「エラーを訂正するプロセス」が不要に。データ書き換えのステップが大幅に少なくなり、書き換え速度が従来の2倍に向上(※2) 。

②【省電力】シンプルで少ないステップでデータ書き換えが行えるため、消費電力も従来比約46%カット(※2) 。

③【耐久性】新たなセル構造として開発した「CTF方式」を採用。従来の「浮遊ゲート方式」に比べ、2~10倍の耐久性を実現。

④【大容量化】2013年に量産が開始された第1世代の3D V-NANDでは24層、第2世代では32層と、技術革新によりセルを積み重ねる数を増やしており、SSD大容量化の可能性を秘めている。

(※1) セル＝SSDを構成する部品の1つ「NANDフラッシュ」で、データを記録する部分

(※2) NANDレベルの性能比較において